WD4000晶圓THK膜厚厚度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。

WD4000晶圓THK膜厚厚度測量系統(tǒng)通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。自動(dòng)測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚：

1、使用光譜共焦對(duì)射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同時(shí)生成Mapping圖；

2、采用白光干涉測量技術(shù)對(duì)Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時(shí)建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù)；

3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計(jì)算，達(dá)到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實(shí)現(xiàn)膜厚測量功能；

4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計(jì)算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。

測量功能

1、厚度測量模塊：厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；

2、顯微形貌測量模塊：粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。

3、提供調(diào)整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數(shù)據(jù)處理功能。其中調(diào)整位置包括圖像校平、鏡像等功能；糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能；濾波包括去除外形、標(biāo)準(zhǔn)濾波、過濾頻譜等功能；提取包括提取區(qū)域和提取剖面等功能。

4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結(jié)構(gòu)分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺(tái)階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評(píng)定等；粗糙度分析包括國際標(biāo)準(zhǔn)ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數(shù)；結(jié)構(gòu)分析包括孔洞體積和波谷。

應(yīng)用領(lǐng)域

可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測。可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)。可測各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。

應(yīng)用場景

1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量

通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。

2、無圖晶圓粗糙度測量

Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計(jì)算重復(fù)性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。

部分技術(shù)規(guī)格

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